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浅析半导体激光管LD的电源设计

2021-11-07 04:18

本文摘要:射频治疗仪管(LD)和一般二极管应用各有不同加工工艺,但工作电压和电流特点基本一致。在工作中点时,小工作电压转变不容易导致激光二极管电流转变较小。 除此之外电流谐波失真过大也不会促使激光器输入不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分苛刻的回绝;输入的交流电电流要低、电流稳定及较低谐波失真指数、低功率因素等。 伴随着激光器的功率大大的扩大,务必性能卓越大电流的稳流开关电源来驱动器。为了更好地保证 半导体材料激光器长期工作中,务必对其驱动电源进行有效设计方案。

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射频治疗仪管(LD)和一般二极管应用各有不同加工工艺,但工作电压和电流特点基本一致。在工作中点时,小工作电压转变不容易导致激光二极管电流转变较小。

除此之外电流谐波失真过大也不会促使激光器输入不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分苛刻的回绝;输入的交流电电流要低、电流稳定及较低谐波失真指数、低功率因素等。

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伴随着激光器的功率大大的扩大,务必性能卓越大电流的稳流开关电源来驱动器。为了更好地保证 半导体材料激光器长期工作中,务必对其驱动电源进行有效设计方案。而且伴随着高频率、较低开关电源电阻器的MOSFET技术性的发展趋势,应用以MOSFET为关键的电源变压器经常会出现,电源变压器在输入大电流时,谐波失真过大的难题得到 了解决困难。  1系统包括  设备输出电压为24V,输入仅次电流为20A,依据串连激光二极管的总数输入各有不同工作电压。

假如应用沟通交流供电系统,前端开发理应应用AC/DC作适度的变换。该设备关键一部分为即时DC/DCSPWM,其电路原理图如图所示1下图。  Vin为输出电压,VM1、VM2为MOSFET,VM1导通总宽规定输入工作电压尺寸,慢彻底恢复二极管和VM2协同续流电源电路,稳压管的导通耗损占据最关键的一部分,因而它的随意选择尤为重要,实验中配搭通态电阻器很低的M0SFET。电感器、电容器组成低通滤波器。

精确测量电阻器两直流电压与等使用价值比较后,根据脉冲计数器造成适度的脉长,保持特性阻抗电流稳定。VM1软启动器,慢彻底恢复二极管工作中,慢彻底恢复二极管通态耗损大,VM2然后全线通车续流,提升系统软件耗损。

  2原理   VM1软启动器,电流根据VD续流,然后VN2导通。因为VM2的电阻器近超过二极管电阻器,因而根据VM2续流。

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VMl、VN2启动单脉冲如图2下图。图2中td为续流二极管导通時间。  二极管耗费的输出功率为P=VtdI0。

一般慢彻底恢复二极管损耗0.4V,当电流20A时,二极管耗费输出功率为0.8W。如应用MOSFET,则耗费的输出功率将小许多。

本试验应用威世半导体公司的60A的MOSFET,其导通等效电阻为0.0022。当电流为20A时,耗费输出功率大概为0.088W。


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